台积电2纳米核心技术外泄案曝光 三名前后工程师遭重判起诉

台湾半导体龙头台积电近日爆出重大技术外泄案件，引发业界高度震动。台湾“高等检察署”27日宣布，三名前后任工程师涉嫌窃取2纳米制程核心数据并转交外部公司，已依违反“安全法”及营业秘密等罪名起诉，且三人均认罪，目前被羁押候审。

检方指出，主谋为台积电前工程师陈力铭，他在跳槽至日本东京电子（TEL）公司后，利用仍在台积电任职的吴秉骏与戈一平，取得包括蚀刻机量产测试参数在内的大量机密文件。调查显示，陈力铭先后翻拍、复制了14份关键数据和流程图，并透过远程连线及外部装置截取超过千张制程相关影像。

办案人员透露，台积电最初是透过内部监控系统发现异常流量，一些员工在远端登录研发系统时停留时间极短，但频繁查看2纳米机密文件。经交叉比对，锁定涉案人员后，台积电立即向检调举报。最终，在新竹某星巴克门店，检方当场逮捕正在翻拍机密资料的涉案工程师，成功人赃俱获。

此次案件涉及台积电研发中心与新竹宝山Fab20厂区，共9人牵连，其中包括3名2纳米试产工程师与6名研发支援人员。目前检方建议判处陈力铭14年徒刑，吴秉骏9年，戈一平7年，强调此案属“核心关键技术营业秘密之域外使用”，一旦外泄，足以冲击全球半导体竞争格局。

值得注意的是，日本东京电子是Rapidus的重要合作伙伴，而Rapidus在7月中旬刚刚宣布完成2纳米芯片试产，令外界更加关注这起案件的背后影响。东京电子已公开声明，坚决不容忍任何窃密行为，并确认涉案台湾籍员工已被解雇，公司正全面配合调查。

目前，全球仅台积电、三星、英特尔与Rapidus等少数厂商正积极研发2纳米制程，预计台积电最快将在2025年下半年量产。专家警告，任何关键技术外泄都可能重塑全球晶圆代工的竞争版图。